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型号 PHB191NQ06LT,118
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
PHB191NQ06LT,118 PDF
代理商 PHB191NQ06LT,118
产品目录绘图 PHB Series D2PAK
标准包装 800
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3.7 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 95.6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 7665pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1507 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 568-2188-2
934058543118
PHB191NQ06LT /T3
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